信息存儲應用技術
  • 通過對單元串的選擇晶體管進行編程來保護數據的閃存裝置和包括該閃存裝置的數據存儲裝置的制作方法
    本發明構思涉及半導體存儲器裝置,更具體地講,涉及通過對選擇晶體管進行編程來保護數據的閃存裝置和包括該閃存裝置的數據存儲裝置。半導體存儲器裝置通常被分類為易失性存儲器裝置(諸如,dram或sram)和非易失性存儲器裝置(諸如,eeprom、fram、pram、mram或閃存)。易失性存儲器裝...
  • 控制在編程操作期間通過相關電子開關元件的電流的制作方法
    本公開總體涉及相關電子開關元件,并且更具體地,涉及控制在編程操作期間通過相關電子開關元件的電流。可以在各種電子設備中的各種電子電路類型中找到諸如電子開關器件之類的集成電路器件。例如,存儲器、邏輯、模擬和/或其他電子電路類型可以包含可在計算機、數碼相機、蜂窩電話、平板設備、個人數字助理等中使...
  • 組對組數據傳送的制作方法
    本公開大體上涉及半導體存儲器和方法,且更確切地說,涉及用于組對組數據傳送的設備和方法。存儲器裝置通常被提供為計算機或其它電子系統中的內部半導體集成電路。存在許多不同類型的存儲器,包含易失性和非易失性存儲器。易失性存儲器可能需要功率來維持其數據(例如主機數據、誤差數據等)且包含隨機存取存儲器...
  • 用于預充電及刷新控制的方法及設備與流程
    高數據可靠性、高速存儲器存取及減小芯片大小是半導體存儲器所要求的特征。近年來,一直致力于提高半導體存儲器裝置的存取速度。例如,可在支持所謂的每庫刷新的半導體存儲器裝置上刷新多庫半導體存儲器裝置的一個庫。就每庫刷新來說,當在后臺刷新一個庫時,可繼續對存儲器陣列的其它庫的讀取或寫入存取。為起始...
  • 用于在存儲器裝置中提供恒定DQS-DQ延遲的設備及方法與流程
    與存儲器裝置相關聯的外部控制器可結合針對所述存儲器裝置的寫入操作采用dqs-dq延遲。根據本發明的dq信號是攜載從外部控制器寫入到存儲器裝置的數據的信號。dqs信號是數據選通信號,其從外部控制器向存儲器提供指示,表明dq信號線上有可用數據供存儲器捕獲。可通過存儲墊在存儲器處接收dqs信號,...
  • 取向裝置、磁記錄介質的制造方法和磁記錄介質與流程
    本技術內容涉及諸如對包含在磁性涂覆膜中的磁性粉末顆粒的進行取向的取向裝置的技術。近年來,磁記錄介質已被廣泛用于各種目的,諸如電子數據項的存儲。通常,磁記錄介質包括膜狀基部、形成在基部上的非磁性層和形成在非磁性層上的磁性層。例如,磁性層如下形成。首先,在非磁性層上形成包含磁性粉末顆粒并處于濕...
  • 磁盤用鋁合金基板及其制造方法、以及使用了該磁盤用鋁合金基板的磁盤與流程
    本發明涉及高強度且具有良好的顫振(fluttering)特性的磁盤用鋁合金基板及其制造方法、以及使用了該磁盤用鋁合金基板的磁盤。被用于計算機的存儲裝置的磁盤使用具有良好的鍍敷性且機械特性及加工性優異的基板來制造。例如,由以jis5086(含有mg:3.5~4.5mass%、fe:0.50m...
  • 一種整合USB2.0和USB3.0通訊芯片的測試電路以及測試架的制作方法
    本發明涉及到存儲芯片測試領域,特別是涉及到一種整合usb2.0和usb3.0通訊芯片的測試電路以及測試架。存儲芯片在上市前,需經過測試,測試具體內容是測試存儲芯片的數據傳輸速度和文件拷貝的錯誤率等。在現有技術測試中,測試人員將待測試的存儲芯片通過cob方式(chipsonboard,板上芯...
  • 半導體故障分析裝置及其故障分析方法與流程
    相關申請的交叉引用本申請要求于2018年6月18日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請no.10-2018-0069584的優先權,其公開內容通過引用整體合并于此。與示例實施例一致的方法和裝置涉及半導體器件,更具體地,涉及半導體故障分析裝置及其故障分析方法。半導體器件是通過各種工藝制造的。隨...
  • 用以測試記憶體的裝置的制作方法
    本揭露是關于一種用以測試記憶體的裝置,特別是關于一種漢明距離(hammingdistance)分析器及其分析方法。由于許多制程因素的緣故,即使集成電路是以相同的制程及相同的材料所制造,每一個集成電路(integratedcircuit,ic)都是獨特的。每一個集成電路都有機會根據其實際應用...
  • 半導體裝置和包括該半導體裝置的測試系統的制作方法
    相關申請的交叉引用本申請要求2018年6月19日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2018-0070328的韓國專利申請的優先權,其公開內容通過引用整體合并于此。各種實施例總體而言涉及一種半導體電路,以及更具體地,涉及一種半導體裝置和包括該半導體裝置的測試系統。半導體裝置(例如,半導體存...
  • Flash器件耐久性能測試方法與流程
    本發明涉及半導體制造領域,特別是涉及一種flash器件耐久性能測試方法。在所有的閃存器件(flash)測試項目中,耐久性能是衡量器件可靠性的必要測試項目,耐久性(endurance)是器件在反復寫入和擦除多次之后,其閾值電壓的變化趨勢,通常的業界標準在10萬~100萬次的編程、擦除循環。傳...
  • 一種FTL掉電測試方法、系統、裝置及存儲介質與流程
    本發明涉及閃存領域,特別是一種ftl掉電測試方法、系統、裝置及存儲介質。nandflash作為一種非易失性的存儲設備,受到越來越廣泛的應用。受限于自身的物理特性和產品應用領域,nandflash算法的設計需要充分考慮掉電場景。使用nandflash的電子產品允許掉電時正在編程的page數據...
  • 半導體器件的制作方法
    相關申請的交叉引用本申請要求在2018年6月19日提交的申請號為10-2018-0070045的韓國專利申請的優先權,其公開的全部內容由此通過引用合并于此。本公開的實施例總體而言涉及半導體器件,并且更具體地涉及一種被配置為用冗余單元代替有缺陷單元的修復電路的技術、以及用冗余單元代替有缺陷單元的方法...
  • 存儲器編程方法、裝置、電子設備及可讀存儲介質與流程
    本發明涉及半導體存儲器,特別是涉及一種存儲器編程方法、裝置、電子設備及可讀存儲介質。nand閃存是一種非易失性儲存器,具有成本低、功耗小及存儲容量大的優點。nand閃存的存儲單元(memorycell)通過設置不同的閾值電壓以區分存儲狀態。而不同的閾值電壓區間之間如間隔較小,就會降...
  • 一種新型非易失性存儲器的過擦除處理方法和裝置與流程
    本發明涉及非易失性存儲器擦除,特別涉及一種新型非易失性存儲器的過擦除處理方法和裝置。在非易失性存儲器產品測試和使用過程中,都會進行電擦除操作,隨著制造工藝的日益更新迭代,可以支持的同時擦除的非易失性存儲單元越來越多,由于存儲單元的電性特征不一,同時,為了加快擦除步驟的過程,一般都會...
  • 一種帶PCIe接口量產器用于固態硬盤的量產方法與流程
    本發明涉及固態硬盤(ssd),更具體地說是一種帶pcie接口量產器用于固態硬盤的量產方法。nvme(non-volatilememoryexpress)ssd是一種基于pcie(peripheralcomponentinterconnectexpress)接口并搭載nvme協議的s...
  • 其中具有增強的擦除控制電路的非易失性存儲器器件的制作方法
    優先權申請的引用本申請要求于2018年6月18日提交的韓國專利申請第10-2018-0069630號的權益,其公開內容通過引用整體并入本文。本發明構思涉及非易失性存儲器器件以及,更具體地,涉及其中具有擦除控制電路的非易失性存儲器器件。最近,隨著信息通信設備變得更加多功能化,需要增加存儲器器...
  • 存儲裝置以及該存儲裝置的操作方法與流程
    相關申請的交叉引用本申請要求于2018年6月20日提交的申請號為10-2018-0071091的韓國專利申請的優先權,其全部公開內容通過引用整體并入本文。本發明的各種實施例總體涉及一種電子裝置。特別地,實施例涉及一種存儲裝置以及該存儲裝置的操作方法。存儲裝置可響應于諸如計算機、智能手機以及...
  • 存儲裝置及存儲裝置的操作方法與流程
    相關申請的交叉引用本申請要求于2018年6月20日提交的申請號為10-2018-0071090的韓國專利申請的優先權,該韓國專利申請的全部內容通過引用并入本文。本發明的各個實施例總體涉及一種電子裝置。特別地,實施例涉及一種存儲裝置及該存儲裝置的操作方法。存儲裝置可響應于諸如計算機、智能手機...
技術分類
3d百位